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單層氧化石墨烯（H法/進(jìn)口）

簡(jiǎn)要描述：單層氧化石墨烯（H法/進(jìn)口） Single Layer Graphene Oxide (H Method)
制備方法：改良的H法
直徑：1~5um
厚度：0.8~1.2nm
單層比：99%
純度：99%
堆積密度：0.44g/cm3
體積密度：為0.26g/cm3

  • 更新時(shí)間：2024-06-04
  • 產(chǎn)品型號(hào)：
  • 廠商性質(zhì)：生產(chǎn)廠家
  • 訪  問  量：814

詳細(xì)介紹

單層氧化石墨烯（H法/進(jìn)口） Single Layer Graphene Oxide (H Method)
制備方法：改良的H法
直徑：1~5um
厚度：0.8~1.2nm
單層比：99%
純度：99%
堆積密度：0.44g/cm3
體積密度：為0.26g/cm3




TEM of Graphene Oxide




*The TEM analysis was completed through dispersing ACS-Material Graphene Oxide into water or ethanol with the help of ultrasound


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