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二硫化鉬晶體（2H-合成/99.995%/n 型） MoS2(Molybdenum Disulfide)-syn 晶體尺寸:~10毫米 電學性能：N型半導體 晶體結構：六邊形 晶胞參數(shù)：a = b = 0.315 nm, c = 1.229 nm, α = β = 90°, γ = 120° 晶體類型：合成 晶體純度：＞99.995%
二硫化鉬晶體（2H-合成/99.995%/p 型） MoS2(Molybdenum Disulfide)-syn$n晶體尺寸:~10毫米$n電學性能：P型半導體$n晶體結構：六邊形$n晶胞參數(shù)：a = b = 0.315 nm, c = 1.229 nm, α = β = 90°, γ = 120°$n晶體類型：合成$n晶體純度：＞99.995%
大尺寸二硫化鉬晶體（天然/99.9%） MoS2(Molybdenum Disulfide) 晶體尺寸：~10毫米- 15毫米 電學性能：半導體 晶體結構：六邊形 晶胞參數(shù)：a = b = 0.315 nm, c = 1.229 nm, α = β = 90°, γ = 120° 晶體類型：合成 晶體純度：＞99.9%
二硫化鎢鉬晶體 MoWS2(Molybdenum Tungsten Disulfide alloy) 晶體尺寸：~6毫米 電學性能：半導體 晶體結構：六邊形 晶胞參數(shù)：取決于合金成分：a = b = 0.31 -0.33 nm and c = 1.21 -1.29 nm, α = β = 90°, γ =120° 晶體類型：合成 晶體純度：＞99.995%
二硫化鈮晶體 3R-NbS2(Niobium Disulfide) 晶體尺寸：4毫米 電學性能：金屬 晶體結構：六邊形 晶胞參數(shù)：a = b = 0.330 nm, c = 1.792 nm, α = β = 90, γ = 120° 晶體類型：合成 晶體純度：＞99.995%
二硫化鉛錫晶體 PbSnS2(Lead Tin Disulfide) 晶體結構：六邊形 類型：天然晶體 尺寸：~8mm 純度：99.995% 屬性：半導體
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